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IT8500G+电子负载自动测试功能，降本增效的好帮手
IT8500G+ 高性能可编程直流电子负载兼具桌面型和系统集成双重使用需求，专为移动电源、工业电源模块、功率电子器件及快充适配器等研发和老化测试而设计研发。该系列产品不仅具备传统的 CC/CV/CR/CP 带载模式，同时提供 CR+CC/CV+CC/CR-LED 等复合带载模式，以广泛适用于不同特性待测物，在限制电流过冲以及动态带载方面具备优异的表现。2026-01-06 09:49:14 -
芯片老化测试/功率器件老化测试
在半导体芯片老化测试中，由电源对待测物进行供电，电子负载进行拉载，虽然电源及负载可以选择高效率产品以降低测试仪器自身的功耗，但这个节能的比例并不高。而回馈式电子负载可以将拉载的直流电转化为合格的交流电送回本地电网再次使用，从测试原理上大幅降低测试成本，具有显著的节能效果。2025-12-23 16:07:47 -
电源管理芯片带载能力验证
在测试板载电源管理芯片的输出动态响应时间时，需要使用小功率高速直流电子负载。对于多轨输出的PMIC，ITECH的IT8700P+系列高速多通道直流电子负载具有非常优秀的表现。IT8700多路负载为ITECH畅销十数年的经典产品，支持16个通道模组的运行及主从并机，广泛应用于电源、电池等行业。IT8700 P +做为经典再升级的新机型，具备更快的动态响应，可实现单模组电流上升速度 12A/ μs。更快的环路速度，可精准控制电流无过冲，提高测试效率。三段电流量程，精度更高，纹波更低。2025-12-23 15:20:56 -
MOSFET 静态I-V 特性
MOSFET 的静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。本文将介绍如何通过 ITECH 图形化源测量单元 IT2800 实现 MOSFET 的静态I-V 特性和参数测试。2025-12-23 13:39:56 -
革新 DC-DC 转换器与电源管理芯片测试方案
电源管理芯片（PMIC）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）是电子系统的“能源中枢”，负责电能转换、分配、检测与管理。IT2705 以多功能集成、灵活扩展、高速测量与电池仿真能力，为 DC-DC 转换器和电源管理芯片测试提供高效、精准、可演进的新方案。无论是效率验证、功耗分析还是动态特性评估，IT2705 都能让测试更简单、更可靠。2025-12-22 16:25:33 -
碳化硅(SiC)上管Vgs测试不再难，麦科信光隔离探头来帮忙
第三代半导体材料，尤其是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），在电动汽车、可再生能源、工业电源、快充技术、无线通信、消费电子等领域中展现出巨大的市场前景。这些材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，使其在高温、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件下表现出色。这些材料虽然具有显著的性能优势，但开关速度很快的特点也给测试测量带来了不小的挑战。2025-05-07 09:56:25 -
麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC) MOSFET动态测试中的应用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）制造的金属氧化物半导体场效应晶体管，相较于传统硅（Si）MOSFET，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度以及更优异的高温和高频性能。2025-05-06 14:15:10 -
是德多通道源表克服LIV测试挑战
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是成像、传感技术和数据通信的关键部件。VCSEL的优势之一是能够在制造过程的早期阶段进行晶片级别的测试，相比之下，对其他边缘发射半导体激光器的测试通常在制造周期结束时进行，此时产品已达到生产的最后阶段。这种测试方法允许及早检测组件故障，通过在封装之前识别有缺陷的设备，大大节省了时间和成本。2023-08-25 15:56:21 -
如何快速测试半导体器件I/V特性？
电子测量仪器作为基础科研工具，是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中，为了更全面地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。雷火电竞为您推荐更加便捷的国产测试解决方案，无需上位机软件，可直接在仪器界面设置并生成半导体元件如二极管、三极管、MOS管、IGBT等IV特性曲线，并可以直接调用常用器件库，帮您快速完成测试。2023-03-02 09:48:44 -
激光器测试
激光器测试对供电源有着极高的要求，为恒流供电方式。传统的电源，默认为CV环路优先，启动瞬间抑制电流过冲速度较慢。ITECH多系列可编程直流源具备CC/CV优先权功能，用户可根据测试需求调节环路速度，选择CV模式电压高速的测试场景，或是CC优先模式电流无过冲的场景。2022-11-30 11:34:11 -
半导体分立器件性能实验
半导体分立器件一般泛指半导体二极管、晶体管、晶闸管， 是构成电力电子变化装置的核心器件之一， 主要用于电力电子设备的整 流、稳压、开关、混频等， 在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领 域均有广泛、大量的应用。2022-11-28 19:28:26 -
IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试方案
日前，基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头，以其优越的160dB共模抑制比，超低的前端电容，丰富的连接方式，搭配便捷的AFG31000双脉冲输出功能，加速三代半导体测试流程。2022-04-06 14:28:21 -
多点位/纳安级漏电流测试解决方案
随着产线产量的增加，许多用户端采用的测试方式具有成本高、效率低的缺点，为了降低成本、提高能效，雷火电竞提供的多端口测试方案可解决这一难题。2022-02-15 14:48:47
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